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技术发展规划书
主要技术参数
2005年
2006年
2007年
备注
最小线宽/间距(mils) 3/3 2.5/2.5 2/2 内层
最小线宽/间距(mils) 3/3 2.5/2.5 2/2 外层(基铜厚度:18um)
最高层数 40 40 50  
层间对位公差 (mil) 4 - -  
最小过孔孔径(mil) 4 3 2  
最大钻孔板厚比 20:1 - -  
阻抗控制 (%) 5 - -  
板厚公差(mm) +/-0.05 - - 板厚小于 1.0mm
+/-5% - - 板厚大于 1.0mm
柔性板 刚柔混压 阻抗控制 HDI  
无铅化制造 高 Tg(>180℃) High Tg/Halogen Free -  
新材料 GETEK ISOLA640 - 混压电路
平整度 0.5% 0.1% -  
无卤素板 小批量 - -  
超薄板(mm) 小批量 - - 0.05
超厚板(mm) 7.0 10.0(BACKDRILL) 12.7  
HDI 2+n+2 3+n+3 Build－up  
埋电阻/电容 埋电容 埋电阻 埋入式无源器件  
 
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